從一起芯片發(fā)明專利侵權糾紛案談權利要求的解釋規(guī)則
發(fā)明專利的權利要求書是對說明書的提煉和歸納，是確定專利權保護范圍的依據(jù)。由于語言文字表達技術方案的局限性，權利要求的解釋也就不可避免。一審法院在解讀權利要求時，以字面解讀和說明書中發(fā)明人自稱的發(fā)明點為依據(jù)確定權利要求的保護范圍，出現(xiàn)了紕漏。二審法院則結合專利審查檔案，客觀公正地劃定了專利權的保護范圍，糾正了一審判決的錯誤。
(一)
安徽的A公司從事電力電子半導體器件、半導體芯片、電子材料的設備生產(chǎn)、銷售及進出口業(yè)務。2014年9月3日，A公司向國家知識產(chǎn)權局申請了201410446710.7號“一種晶閘管芯片的結終端結構”的發(fā)明專利。2018年7月17日獲得授權公告，目前為有效法律狀態(tài)。
專利權利要求1記載：1.一種晶閘管芯片的結終端結構，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結構；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結構；所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構；所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構。
專利說明書記載：本發(fā)明的目的是提供一種晶閘管芯片的結終端結構，解決現(xiàn)有晶閘管芯片的結終端結構耐壓值低、正反向電壓嚴重不對稱的問題。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種晶閘管芯片的結終端結構，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結構；所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結構。所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構。進一步的，所述電壓槽側壁的上沿至少設置有一級臺階結構。優(yōu)選的，所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構。本發(fā)明的有益效果：所述電壓槽采用臺階結構，可以有效增大電壓槽的表面積，降低了P層表面濃度，有利于空間電荷區(qū)的展寬，達到降低表面電場強度的效果，提高了工作電壓和晶閘管芯片電參數(shù)的穩(wěn)定性、減小了正反向耐壓的差距。所述一層臺階結構耐壓峰值可以達到1800-3000伏，所述兩層臺階結構耐壓峰值可以達到3000-4000伏。
浙江B公司成立于2004年8月4日，經(jīng)營電力電子器件制造、銷售。2011年2月23日，B公司向國家知識產(chǎn)權局申請了201120045343.1號“方形晶閘管芯片”實用新型專利。2011年8月31日，該專利獲得授權公告。
該實用新型專利權利要求書記載：一種方形晶閘管芯片，包括陰極、硅片和陽極，所述陰極、所述硅片和所述陽極都為扁平狀，所述硅片一面貼有陰極，另一面貼有陽極，所述陰極上開有一通孔，所述通孔內設有門極，所述門極、所述陰極、所述硅片和所述陽極表面都搪有焊料，所述門極與所述陰極之間為門環(huán)極，其特征在于，所述陰極、所述硅片和所述陽極都為方形。根據(jù)權利要求所述的方形晶閘管芯片，其特征在于，所述陽極的尺寸大于所述硅片的尺寸，所述硅片尺寸大于所述陰極尺寸，所述硅片四周為挖槽工藝得到的臺面，所述臺面表面覆蓋有高溫玻璃。但該專利文件并未直接披露發(fā)明專利201410446710.7權利要求1中記載的臺階結構。
2020年4月，安徽C公司從B公司購買KP23*23mm、KP18*18mm、KP15*15mm、KP13*13mm四種規(guī)格方形芯片700片。在收到產(chǎn)品后，C公司于同日將芯片送至A公司進行測試。A公司遂于第二天與C公司簽訂《產(chǎn)品銷售合同》，回購該批次產(chǎn)品，并進行了公證。隨后，A公司以B公司產(chǎn)品侵害其發(fā)明專利201410446710.7專利權為由，將B公司和C公司共同訴至法院，要求B公司停止侵權并賠償經(jīng)濟損失100萬元等。
在一審中，B公司認為檢測報告顯示被訴侵權產(chǎn)品斜面只有一級臺階結構，沒有二級臺階結構，與涉案專利附圖二一致，但與附圖三不同。涉案專利說明書的第20-22段可以說明涉案專利是二級臺階結構，涉案專利的創(chuàng)新點是具備有兩級及以上臺階結構。簡言之，涉案專利創(chuàng)新點在于二級及以上臺階結構，而被訴侵權產(chǎn)品只有一級臺階結構，故不構成侵權。
被訴侵權產(chǎn)品的剖視圖：
涉案專利附圖2和3：
一審法院認為，涉案專利的權利要求1所描述的特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結構；所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構；所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構。從上述權利要求的文義可看，設置臺階結構有“均”字，而二級臺階結構沒有要求“均”設置。因此，所述電壓槽兩側壁的上沿設置有臺階結構即是其創(chuàng)新點，并不強求一定要有二級臺階結構。為了避免對也許無心的“均”字做過度解讀，還有必要結合專利說明書來解釋。說明書第4段最后一句有“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”，緊接著第5段有“進一步的，所述電壓槽側壁的上沿至少設置有一級臺階結構”，再緊接著第6段有“優(yōu)選的，所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”。該說明再次表明，一級臺階設置即是涉案專利的創(chuàng)新點，而二級臺階設置是進階版。此外，說明第10段稱“圖2為本發(fā)明一級臺階結構的局部剖視圖”，第11段稱“圖3為本發(fā)明二級臺階結構的局部剖視圖”。第12段所舉的“實施例1”也正是與圖2所示相同的具體實施方式。最終沒有支持B公司的抗辯理由，認為被訴侵權產(chǎn)品落入了涉案專利權利要求1的保護范圍，構成等同侵權。
收到一審判決后，代理律師調取了涉案發(fā)明專利在國家知識產(chǎn)權局實質審查階段的審查檔案。經(jīng)查，涉案發(fā)明專利公開的權利要求書共記載了8項專利要求，其中權利要求1至4內容如下：
1.一種晶閘管芯片的結終端結構，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結構；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結構。
2.如權利要求1所述的晶閘管芯片的結終端結構，其特征在于：所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構。
3.如權利要求2所述的晶閘管芯片的結終端結構，其特征在于：所述電壓槽側壁的上沿至少設置有一級臺階結構。
4.如權利要求3所述的晶閘管芯片的結終端結構，其特征在于：所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構。
國家知識產(chǎn)權局在2017年5月26日簽發(fā)的《第一次審查意見通知書》中指出涉案專利公開版本的權利要求1-3，5，7，8不具有專利法第22條第3款規(guī)定的創(chuàng)造性，同時，還明確指出權利要求2-3即“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”這一技術特征已經(jīng)被對比文件3（CN1199930A）公開，不具有專利法第22條第3款規(guī)定的創(chuàng)造性。
A公司針對《第一次審查意見通知書》指出的缺陷對其權利要求書進行了修改，修改后的權利要求書共5項權利要求，其中權利要求1為：
1.一種晶閘管芯片的結終端結構，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結構；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結構；所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構；所述電壓槽側壁的上沿至少設置有一級臺階結構；所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構。
針對第一次修改后的權利要求書，國家知識產(chǎn)權局又發(fā)出了《第二次審查意見通知書》，指出：權利要求1中限定了“所述電壓槽側壁的上沿至少設置有一級臺階結構；所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”，其中“至少設置有一級臺階結構”與“設置有二級臺階結構”限定出了不同的保護范圍，導致權利要求保護范圍不清楚，不符合專利法第26條第4款的規(guī)定。
針對《第二次審查意見通知書》指出的缺陷，A公司再次對權利要求書進行了修改，成為前文所述的權利要求1的最終授權版本。
結合涉案專利的審查文件記載的內容，B公司向最高人民法院提起了上訴，并指出，根據(jù)最高人民法院《關于審理侵犯專利權糾紛案件應用法律若干問題的解釋》（法釋【2009】21號）第三條的規(guī)定，人民法院對于權利要求，可以運用說明書及附圖、權利要求書中的相關權利要求、專利審查檔案進行解釋。說明書對權利要求用語有特別界定的，從其特別界定。以上述方法仍不能明確權利要求含義的，可以結合工具書、教科書等公知文獻以及本領域普通技術人員的通常理解進行解釋。原審法院僅依據(jù)涉案專利說明書記載的內容，特別是專利權人自稱的發(fā)明點對涉案專利權利要求進行解釋，不符合最高院司法解釋的相關規(guī)定，一審法院存在認定事實和適用法律錯誤的問題，請求二審法院予以改判。
二審法院經(jīng)過審理認為，首先，關于上述技術特征的理解。從權利要求1的撰寫來看，“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”和“所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”兩技術特征，在后的技術特征“所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”是對在先技術特征“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”的進一步限定，并非芯微公司主張的兩技術特征是“或”的關系。從涉案專利說明書記載的內容來看，“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”的技術特征是涉案專利為了解決晶閘管芯片的結終端結構耐壓值低、正反向電壓嚴重不對稱問題的一個總的發(fā)明構思和技術手段，“所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”的技術特征對應于說明書中的第二個實施例，是對前述總的發(fā)明構思和技術手段的進一步具體化。從涉案專利申請授權階段的審查文檔來看，“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”和“所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”兩技術特征分別是專利申請時原權利要求2和4的附加技術特征，在答復原權利要求1至3不具有創(chuàng)造性的審查意見時，專利權人將上述技術特征合并到原獨立權利要求1中形成授權公告的權利要求1。另外，根據(jù)本領域的現(xiàn)有技術以及當事人確認，對晶閘管芯片而言，電壓槽兩側壁的上沿設置臺階結構時，兩側的臺階結構的級數(shù)應當是一致的，不會出現(xiàn)一側設置一級臺階結構而另一側設置二級臺階結構的情況。綜上可以確定，權利要求1中“所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”是對“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”對進一步限定，兩技術特征共同限定的技術方案應當理解為“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有二級臺階結構”。故在本案技術比對時，應將涉案專利中“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構”與“所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”劃分為一個技術特征單元進行比對。進而，在本部分應當解決的問題應為被訴侵權技術方案的相應特征與權利要求中1記載的技術特征“所述電壓槽兩側壁的上沿均設置有臺階結構；所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”是否相同或者等同這一問題，而非被訴侵權技術方案是否缺少涉案專利權利要求1中“所述電壓槽側壁的上沿設置有二級臺階結構”這一技術特征的問題。最終最高人民法院支持了B公司的上訴請求，駁回了A公司的全部訴訟請求。
（二）
本案涉及的是專利類案件中最常見的權利要求解釋規(guī)則問題。我們知道，在專利制度建立的初期，各國專利申請文件和專利文件中都不包括權利要求書，只包括一個類似今天專利說明書的文件來詳細說明發(fā)明的內容。在確定專利權保護范圍時，要由法官將授予專利權的發(fā)明創(chuàng)造與現(xiàn)有技術進行比對，對說明書的內容進行提煉，歸納出發(fā)明創(chuàng)造的實質和核心。但由此帶來的問題是，在法院作出裁判之前，公眾很難預料法官會如何確定專利權的保護范圍，從而給專利保護帶來了很大的不確定性。
為解決這一難題，在英國、德國等國家，由專利申請人自發(fā)開始在專利文件中寫出權利要求書，而非法律的強制規(guī)定。美國是率先在專利法中明確規(guī)定專利申請文件和專利文件中應當包括權利要求書的國家，隨后其他國家也相繼采納。我國《專利法實施細則》所規(guī)定的發(fā)明或者實用新型的獨立權利要求的撰寫方式包括前序部分和特征部分，這種方式英文叫作“Jepson寫法”，被《歐洲專利公約》和PCT所推崇。權利要求書的作用是明確專利申請和專利權的保護范圍，有了權利要求書的專利制度才成為現(xiàn)代意義的專利制度。
鑒于權利要求書是對發(fā)明創(chuàng)造技術方案的高度提煉和總結，由于使用語言文字表達技術方案本身的局限性，因此，不可避免的要對發(fā)生爭議的技術特征、技術方案進行合理恰當?shù)慕忉屢悦鞔_專利權的保護范圍。北京市高級人民法院制定的《專利侵權判定指南（2017）》第15條對專利權利要求解釋規(guī)則作出了規(guī)定：
15.解釋權利要求，可以使用專利說明書及附圖、權利要求書中的相關權利要求、與涉案專利存在分案申請關系的其他專利以及上述專利的專利審查檔案、生效的專利授權確權裁判文書所記載的內容。
上述方法仍不能明確權利要求含義的，可以結合工具書、教科書等公知文獻及本領域普通技術人員的通常理解進行解釋。
本指南所稱專利審查檔案，包括專利審查、復審、無效程序中專利申請人或者專利權人提交的書面材料，國務院專利行政部門及其專利復審委員會制作的審查意見通知書、會晤記錄、口頭審理記錄、生效的專利復審請求審查決定書和專利權無效宣告請求審查決定書等。
在這一條中明確了專利權利要求的解釋規(guī)則，其中第一款被稱為“內部證據(jù)”，第二款為“外部證據(jù)”，具體運用時采取內部證據(jù)優(yōu)于外部證據(jù)的基本規(guī)則。本文案例中，二審法院作出裁判依據(jù)的專利審查檔案屬于內部證據(jù)，只有在內部證據(jù)不足以解釋清楚權利要求時才會使用外部證據(jù)進行解釋。涉案專利實質審查階段的審查檔案完全可以解釋其權利要求1的保護范圍，因此，不需要脫離內部證據(jù)去通過字面的個人理解進行解釋，本案一審法院在適用專利權利要求解釋規(guī)則中出現(xiàn)了紕漏。
